Chapter14 磁场与物质的相互作用
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磁介质对磁场的影响
磁介质
磁介质:凡处于磁场中能与磁场发生相互作用的实物物质均可称为磁介质。
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- 与磁场发生相互作用强的磁介质主要是铁磁物质。
- 与磁场发生相互作用弱的磁介质又可分为顺磁质和抗磁质。
- 在非均匀磁场中,被吸引至磁场较强区域的磁性物质称为顺磁质(如
钠,铝,锰,铬,硫酸铜,氧及空气等);
- 被斥离磁场较强区域的磁性物质称为抗磁质(如铜,铅,铋,银,水
及氮等)。
分子电流、分子磁矩
在一个原子或分子中,电子既作轨道运动,又作自旋运动,可用一个等效的环电流来表征,称为“分子电流”,相应的磁矩称为“分子磁矩”。
-
抗磁质分子:
- 分子没有固有的磁矩
- 在没有外磁场时:宏观上不显示磁性
-
顺磁质分子:
- 分子有固有的磁矩
- 但由于各分子磁矩取向杂乱无章,所以 ∑μm=0
- 在没有外磁场时:宏观上也不显示磁性
顺磁质的磁化
分子的固有磁矩不为零 μm=0
- 有外磁场时,分子磁矩要受到一个力矩的,使分子磁矩转向外磁场的方向。
- 分子磁矩产生的磁场方向和外磁场方向一致,顺磁质磁化结果,使介
质内部磁场增强。
B>B0
抗磁质的磁化
分子的固有磁矩为零 μm=0
故有
B<B0
磁化强度和磁化电流
磁化强度
对于磁介质,可以不涉及磁化的微观过程,引入一个宏观物理量来描述介质磁化的程度。
- 对于体积 ΔV,宏观上 ΔV 很小,但微观上包含大量磁矩 μi。
磁化强度定义
磁化强度:
M=ΔV∑iμi
磁化强度的 SI 单位:
mA
顺磁质与抗磁质
- 顺磁质:M∥B
- 抗磁质:M∥−B
磁化电流
考察各向同性、线性、均匀的磁介质
总效果 :在磁介质表面形成磁化电流。
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想象从磁介质表面抽出一个小的斜柱体
通过对斜柱体中的磁场和相关变量进行描述:
-
斜柱体总磁矩:
i∑μi=ΔSdI′
-
根据定义:
M=ΔV∑iμi=ΔSdlcosθΔSdI′
关系式与计算
-
单位长度微小段的表达式:
α′=dldI′=Mcosθ=Msinφ
-
关系式:
α′=M×e^n
-
另一种形式:
dI′=Mdlcosθ=M⋅dl
或者
dI′=α′dl=∣M×e^n∣dl
介质与边界条件
-
磁介质与真空边界:
α′=M×e^n
其中,e^n为单位向量。
-
磁介质与磁介质交界处磁场的分布:
α1′=M1×e^n1,α2′=M2×e^n2
这里,e^n1=−e^n2。
-
总磁化电流表达式表达式:
α′=α1′+α2′=(M1−M2)×e^n1
-
介质表面磁化电流表达式:
α′=(M1−M2)×e^n
总结
根据以上公式和关系式,描述了磁场、磁矩及相关物理量在不同磁介质中的分布及变化。
§ 13-3 介质中的磁场与磁场强度
介质中磁场的高斯定理
磁场的总磁通量可以分为外部磁场和由电流引起的磁场:
B=B0+B′
- B0:外磁场
- B′:磁化电流产生的磁场
磁场线为闭合曲线,因此有以下关系:
∮SB⋅dS=∮S(B0+B′)⋅dS=∮SB0⋅dS+∮SB′⋅dS
根据高斯定理,有外磁场的积分为零:
∮SB0⋅dS=0
同时,磁化电流产生的磁场也满足:
∮SB′⋅dS=0
介质中的边界条件
-
磁介质1 和 磁介质2 的界面上的磁场关系:
-
磁场分量:
- 由界面两侧的磁场分量 B1 和 B2 表示,它们在界面法线方向上的分量必须相等。
磁场强度和介质中磁场的安培环路定理
-
安培环路定理公式,其中 Ii 为传导电流,Ii′ 为磁化电流
∮LB⋅dl=μ0(i∑Ii+i∑Ii′)
-
总电流:
设分子液度为 n,则套住 dl 的分子电流为:
dI′=niϕ⋅(Sϕ⋅cosθ⋅dl)=M⋅dl⋅cosθ=M⋅dl
-
通过L所围曲面 ΔS 的磁化电流:
I′=∮LM⋅dl
磁场强度与安培环路定理
-
高斯定理与安培环路定理的表达式:
∮LB⋅dl=μ0(i∑Ii+∮LM⋅dl)
-
磁场强度 H 的表达式:
∮L(μ0B−M)⋅dl=i∑Ii
H=μ0B−M
-
有磁介质时的安培环路定理: 其中 Ii 为传导电流
∮LH⋅dl=i∑Ii
磁场强度的相关定义与公式
-
磁场强度的定义:
H=μ0B−M
- 其中 μ0 为 真空磁导率(Permeability of vacuum)
-
磁化率(Magnetic susceptibility)χm:
M=χmH
-
磁感应强度(Magnetic flux density)B:
B=μ0H+μ0M=μ0(1+χm)H=μ0μrH=μH
-
相对磁导率(Relative permeability):
μr=1+χm
-
磁导率(Permeability)μ:
B=μH
磁介质的分类
-
顺磁质(μr>1)
B′ 与 H 同方向,B>Hμ0
示例:O2,Al,Mn
-
抗磁质(μr<1)
B′ 与 H 反方向,B<μ0H
示例:H2,Cu,Pb
-
铁磁质(μr≫1)
B′ 很大与 H 同方向
示例:Fe,Ni,Co
-
超导材料(μr=0)
B=0,完全抗磁性
边界条件(完整版)
利用磁高斯定理和安培环路定理可以证明:在不同介质交界面两侧的磁场满足以下边界条件:
-
法向磁场分量相等:
B1n=B2n
-
切向磁场分量相等:
H1t=H2t
例题
一沿棒长方向均匀磁化的圆柱形介质棒(顺磁质)
- 半径为 R,长度为 l,其总磁矩的值为 m。
- 棒内的磁化强度为 M,棒的圆柱表面上的面磁化电流密度为 α′。
- 棒内点的磁感应强度为 B0。
圆柱形介质棒内的磁化强度
总磁矩:
M=ΔV∑iμi
磁化强度公式:
M=Vm=πR2lm
方向与电流方向 I 之间的关系:
M=Me^n
圆柱形介质棒表面的面磁化电流密度
面磁化电流密度:
α′=dldI′=M
面磁化电流密度的方向与电流方向的关系:
α′=M×e^n
棒内中点的磁感应强度
应用螺线管内的磁感应强度公式(把单位长度电流/电流线密度从 nI 替换成 α′ 就行):
Bp=2μ0α′[cosβ2−cos(π−β2)]
简化形式:
Bp=2μ0α′[2cosβ2]=μ0α′=2μ0IR2+(2l)21
例题:细长均匀磁化棒,磁化强度 M,沿棒长方向
已知条件:
- 沿棒长方向均匀磁化,磁化强度 M。
- 长直螺线管,磁化只存在于磁化面电流上,面电流密度 α′=M。
- 求图中各点的 H 和 B。
解:
均匀磁化,只存在磁化面电流,可以得到
α′=M⟹nI=M
磁化棒可以视为长直螺线管的模型,将 nI 替换为 α′ ,即可进行计算,求出各点的 B
-
在不同位置的磁感应强度 B:
- B1=μ0nI=μ0M
- B2=B3=0
- B4=B5=B6=B7=21μ0M
-
磁场强度 H:
- 再由公式 H=μ0B−M 计算出各点的 H
- H1=M−M=0
- H2=H3=0
- H4=21M−0=21M
- H5=21M−M=−21M
- H6=−21M
- H7=21M
铁磁质
考试不太能考这种东西,跳过